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电磁铁变温变场霍尔测试系统HSEM系列

电磁铁变温变场霍尔测试系统HSEM系列

HSEM系列电磁铁霍尔效应测试系统由电磁铁、霍尔测试仪、控制器、样品变温选件等部分组成。有连续可变的磁场环境,可选±0.8T或±1.5T两种配置,有较丰富的温度选件,包含:室温、液氮单点、10K-400K闭循环低温选件、室温-1273K高温选件。

电磁铁变温变场霍尔测试系统HSEM系列产品概述

HSEM系列电磁铁霍尔效应测试系统由电磁铁、霍尔测试仪、控制器、样品变温选件等部分组成。根据选取配置不同可实现±1.5T的磁场、10K样品温度、1273K样品温度等性能。具有磁场范围大、温区广等特点。可满足客户在不同温度或不同磁场下对材料的电阻率、载流子浓度、载流子类型、霍尔系数、电子迁移率等参数进行测量。


系统特点:
• 具有连续可变的磁场环境,可选±0.8T或±1.5T两种配置
• 具有较丰富的温度选件,包含:室温、液氮单点、10K-400K闭循环低温选件、室温-1273K高温选件
• 迁移率范围:0.01-10^6
• 可测样品电阻范围:10mΩ-100GΩ
• 载流子浓度:8 × 102 到 8 × 1023 cm-3
• 室温屏蔽盒为样品提供室温测试环境,提供多种室温样品卡,满足各种规格的样品的霍尔测试。
• 可通过滑轨快速切换低温恒温器与室温屏蔽盒,可快速切换样品或更换样品环境,提高换样效率。

测试材料:
• 热电材料:碲化铋、碲化铅、硅锗合金等
• 光伏材料/太阳能电池:(A硅(单晶硅、非晶硅)CIGS(铜铟镓硒)、碲化镉、钙钛矿等)
• 有机材料:(OFET、OLED)
• 透明导电金属氧化物TCO:(ITO、AZO、ZnOIGZO(铟镓锌氧化物)等)
• 半导体材料:SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
• 二维材料:石墨烯、BN、MoS2


电磁铁变温变场霍尔测试系统HSEM系列技术参数

参数和指标:

型号
HSEM-08
HSEM-15
磁场大小
±0.8T
±1.5T
迁移率
1*10-2 to 1*106 cm2 / Vs
载流子浓度
8x102-8x1023/cm3
样品阻值范围
10mΩ-100GΩ
电压激励范围
100nV ~ 10V
电流激励范围
10pA ~ 100mA
测试方法
范德堡或霍尔巴
样品尺寸

标准10mm*10mm

可定制Φ50mm或其他尺寸

支持温度选件

液氮选件

闭环低温选件

高温炉


可选配件